FQI2N30TU Fairchild Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: QFET®
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.1A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 130 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.13W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I2PAK (TO-262)
Paquete/Caja: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA