LSIC1MO120E0080 Littelfuse Inc. FET individuales MOSFET

Fabricante: Littelfuse Inc.
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 39A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 10mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 95 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1825 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247AD
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: LSIC1MO120