SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 15A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 48 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1280 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO252-3
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: SPD15P10