IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Ta), 13A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 25µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 13 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 580 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paquete/Caja: 6-PowerVDFN
Número de producto base: IRFHS9301