IRF6620TRPBF Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.45V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4130 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DIRECTFET??MX
Paquete/Caja: DirectFET??Isometric MX
Número de producto base: IRF6620