IRFH4210DTRPBF Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Discontinued at Digi-Key
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 44A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.1V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 77 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4812 pF @ 13 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PQFN (5x6)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: IRFH4210