IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.1V @ 10µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1110 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paquete/Caja: 6-PowerVDFN
Número de producto base: IRLHS6242