IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Paquete: Tube
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.6A (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 40µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 93 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO251-3
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base: IPS60R3