IRFB4227PBF Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 65A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 98 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4600 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: IRFB4227