IPI60R199CPXKSA2 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 660µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 43 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1520 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO262-3-1
Paquete/Caja: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de producto base: IPI60R199