IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??5
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 40A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 17µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 29 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1560 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TSDSON-8
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: IPZ40N04