IRFU5305PBF Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 31A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 63 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1200 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: IPAK (TO-251AA)
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base: IRFU5305