IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??G7
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 75A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1.44mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 123 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4820 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 391W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-HSOF-8-2
Paquete/Caja: 8-PowerSFN
Número de producto base: IPT60R028