IPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P6
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 200µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 12 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 557 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-ThinPak (5x6)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: IPL60R650