IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 225 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-SOT223
Paquete/Caja: TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base: IPN65R1