IPI47N10SL26AKSA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paquete: Tube
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 47A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 2mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 135 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2500 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO262-3
Paquete/Caja: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de producto base: IPI47N10