BTS244ZE3062AATMA2 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: TEMPFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 35A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 130µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 130 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2660 pF @ 25 V
Característica FET: Temperature Sensing Diode
Disipación de potencia (máx.): 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-5-2
Paquete/Caja: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Número de producto base: BTS244