BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 2.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 750mV @ 11µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 529 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-SOT23
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base: BSS806