AUIRFS4010-7TRL Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 190A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 230 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 9830 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 380W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D2PAK (7-Lead)
Paquete/Caja: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)