BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 240 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 350mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.8V @ 108µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 140 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-SOT223-4
Paquete/Caja: TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base: BSP89H6327