EPC2023 EPC FET individuales MOSFET

Fabricante: EPC
Serie: eGaN®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 60A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 20mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2300 pF @ 15 V
Característica FET: -
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: Die
Paquete/Caja: Die
Número de producto base: EPC20