DMN2005LP4K-7 Diodes Incorporated FET individuales MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 200mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 900mV @ 100µA
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 41 pF @ 3 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: X2-DFN1006-3
Paquete/Caja: 3-XFDFN
Número de producto base: DMN2005