DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated FET individuales MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 550mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.7V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.8V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 187.3 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 630mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: U-DFN2020-6 (Type E)
Paquete/Caja: 6-PowerUDFN
Número de producto base: DMN30