BS107PSTZ Diodes Incorporated FET individuales MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 120mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.6V, 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 85 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: E-Line (TO-92 compatible)
Paquete/Caja: E-Line-3
Número de producto base: BS107