DMT2004UFDF-13 Diodes Incorporated FET individuales MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 24 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 14.1A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.45V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1683 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: U-DFN2020-6 (Type F)
Paquete/Caja: 6-UDFN Exposed Pad
Número de producto base: DMT2004