DMT6009LCT Diodes Incorporated FET individuales MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 37.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1925 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-3
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: DMT6009