IV1D12005O2 Inventchip Diodos individuales

Fabricante: Inventchip
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tecnología: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltaje - CC inversa (Vr) (Máx.): 1200 V
Corriente - Promedio Rectificado (Io): 17A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: 1.8 V @ 5 A
Velocidad: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr): 0 ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Capacitancia @ Vr, F: 320pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-220-2
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-2
Temperatura de funcionamiento - Unión: -55°C ~ 175°C