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AOTF13N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET individuales MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 13A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 37 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1633 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220F
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Número de producto base: AOTF13

Datasheet

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