AFV10700HR5 NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tecnología: LDMOS
Configuración: Dual
Frecuencia: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Ganar: 19.2dB
Voltaje - Prueba: 50 V
Corriente nominal (amperios): 1µA
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 100 mA
Potencia - Salida: 770W
Voltaje - Nominal: 105 V
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: NI-780-4
Paquete de dispositivo del proveedor: NI-780-4
Número de producto base: AFV10700