A3G26D055N-1805 NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tecnología: GaN
Frecuencia: 100MHz ~ 2.69GHz
Ganar: 13.9dB
Voltaje - Prueba: 48 V
Corriente nominal (amperios): -
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 40 mA
Potencia - Salida: 8W
Voltaje - Nominal: 125 V
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-LDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-PDFN (7x6.5)