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IGN1011L70 Integra Technologies Inc. FET de RF MOSFET

IGN1011L70 Integra Technologies Inc. FET de RF MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Detalles de producto Reseña(0)
Fabricante: Integra Technologies Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tecnología: GaN HEMT
Frecuencia: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Ganar: 22dB
Voltaje - Prueba: 50 V
Corriente nominal (amperios): -
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 22 mA
Potencia - Salida: 80W
Voltaje - Nominal: 120 V
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: PL32A2
Paquete de dispositivo del proveedor: PL32A2

Datasheet

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