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BLF6G27-75,112 NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

BLF6G27-75,112 NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Detalles de producto Reseña(0)
Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: LDMOS
Frecuencia: -
Ganar: -
Voltaje - Prueba: 28 V
Corriente nominal (amperios): 18A
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 600 mA
Potencia - Salida: 9W
Voltaje - Nominal: 65 V
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: SOT-502A
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT502A

Datasheet

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