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NE3510M04-T2-A Renesas Electronics Corporation FET de RF MOSFET

NE3510M04-T2-A Renesas Electronics Corporation FET de RF MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Detalles de producto Reseña(0)
Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: HFET
Frecuencia: 4GHz
Ganar: 16dB
Voltaje - Prueba: 2 V
Corriente nominal (amperios): 97mA
Figura de ruido: 0.45dB
Corriente - Prueba: 15 mA
Potencia - Salida: -
Voltaje - Nominal: 4 V
Paquete/Caja: SOT-343F
Paquete de dispositivo del proveedor: M04

Datasheet

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