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NE3503M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation FET de RF MOSFET

NE3503M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation FET de RF MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Detalles de producto Reseña(0)
Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: HFET
Frecuencia: 12GHz
Ganar: 12dB
Voltaje - Prueba: 2 V
Corriente nominal (amperios): 70mA
Figura de ruido: 0.45dB
Corriente - Prueba: 10 mA
Potencia - Salida: -
Voltaje - Nominal: 4 V
Paquete/Caja: 4-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor: M04

Datasheet

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