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NE3513M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation FET de RF MOSFET

NE3513M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation FET de RF MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Detalles de producto Reseña(0)
Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: GaAs HJ-FET
Configuración: N-Channel
Frecuencia: 12GHz
Ganar: 13dB
Voltaje - Prueba: 2 V
Corriente nominal (amperios): 60mA
Figura de ruido: 0.65dB
Corriente - Prueba: 10 mA
Potencia - Salida: 125mW
Voltaje - Nominal: 4 V
Paquete/Caja: 4-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor: 4-Super Mini Mold

Datasheet

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