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BLA1011S-200R,112 NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: LDMOS
Frecuencia: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Ganar: 13dB
Voltaje - Prueba: 36 V
Corriente nominal (amperios): -
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 150 mA
Potencia - Salida: 200W
Voltaje - Nominal: 75 V
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: SOT-502B
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT502B

Datasheet

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