BLD6G22LS-50,112 NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: LDMOS
Configuración: Dual, Common Source
Frecuencia: 2.14GHz
Ganar: 14dB
Voltaje - Prueba: 28 V
Corriente nominal (amperios): 10.2A
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 170 mA
Potencia - Salida: 8W
Voltaje - Nominal: 65 V
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-1130B
Paquete de dispositivo del proveedor: CDFM4