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MRF101BN NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

MRF101BN NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Detalles de producto Reseña(0)
Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tecnología: LDMOS
Frecuencia: 1.8MHz ~ 250MHz
Ganar: 21.1dB
Voltaje - Prueba: 50 V
Corriente nominal (amperios): 10µA
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 100 mA
Potencia - Salida: 115W
Voltaje - Nominal: 133 V
Paquete/Caja: TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220-3
Número de producto base: MRF101

Datasheet

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