A2T07D160W04SR3 NXP USA Inc. FET de RF MOSFET

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Not For New Designs
Tecnología: LDMOS
Configuración: Dual
Frecuencia: 803MHz
Ganar: 21.5dB
Voltaje - Prueba: 28 V
Corriente nominal (amperios): -
Figura de ruido: -
Corriente - Prueba: 450 mA
Potencia - Salida: 30W
Voltaje - Nominal: 70 V
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: NI-780S-4L
Paquete de dispositivo del proveedor: NI-780S-4L
Número de producto base: A2T07