SI1902DL-T1-BE3 Vishay Siliconix Matrices FET MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Embalaje: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado de la pieza: Last Time Buy
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 660mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Potencia - Máxima: 270mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-70-6
Número de producto base: SI1902