SIZ720DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices FET MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 825pF @ 10V
Potencia - Máxima: 27W, 48W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-PowerPair??