TT8M2TR Rohm Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Not For New Designs
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 180pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.25W
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TSST
Número de producto base: TT8M2