FDS4501H onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: PowerTrench®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9.3A, 5.6A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 27nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1958pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOIC
Número de producto base: FDS4501