SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices FET MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Potencia - Máxima: 7.8W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de producto base: SIA921