HP8ME5TB1 Rohm Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Potencia - Máxima: 3W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-HSOP