SQ3585EV-T1_GE3 Vishay Siliconix Matrices FET MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Potencia - Máxima: 1.67W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TSOP
Número de producto base: SQ3585