SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix Matrices FET MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1869pF @ 15V
Potencia - Máxima: 48W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base: SQJ910