TT8K11TCR Rohm Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate, 4V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1A
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 140pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1W
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TSST
Número de producto base: TT8K11