CBB032M12FM3T Wolfspeed, Inc. Matrices FET MOSFET

Fabricante: Wolfspeed, Inc.
Serie: -
Paquete: Box
Estado del producto: Active
Tecnología: Silicon Carbide (SiC)
Configuración: 4 N-Channel (Full Bridge)
Característica FET: Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 39A (Tj)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.9V @ 11mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 118nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3500pF @ 1000V
Potencia - Máxima: -
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: -
Número de producto base: CBB032