DMC62D2SV-13 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel Complementary
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 480mA (Ta), 320mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 10V, 4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.04nC @ 10V, 1.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 41pF @ 30V, 40pF @ 25V
Potencia - Máxima: 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-563